maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / NSBC123JDXV6T5
Référence fabricant | NSBC123JDXV6T5 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NSBC123JDXV6T5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSBC123JDXV6T5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 500mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC123JDXV6T5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSBC123JDXV6T5-FT |
NSBC124EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA144EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123TPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC144WPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143ZDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T1G
ON Semiconductor
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S4000L-4FGG900C
Xilinx Inc.
XC4020XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7VX330T-2FF1157I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2LG
Intel
EP3C40F324A7N
Intel