maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / NSBC123EDXV6T1
Référence fabricant | NSBC123EDXV6T1 |
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Numéro de pièce future | FT-NSBC123EDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSBC123EDXV6T1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 500mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC123EDXV6T1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSBC123EDXV6T1-FT |
NSBC114TDP6T5G
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XC6VLX240T-2FFG784C
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XC7K410T-1FBG900I
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XC7K325T-1FFG676CES9937
Xilinx Inc.
APA075-TQ100I
Microsemi Corporation