maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S14A-7001HE4/2N
Référence fabricant | SM8S14A-7001HE4/2N |
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Numéro de pièce future | FT-SM8S14A-7001HE4/2N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S14A-7001HE4/2N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 14V |
Tension - Panne (Min) | 15.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 23.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 284A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S14A-7001HE4/2N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S14A-7001HE4/2N-FT |
SM5S36AHE3_A/K
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C5F256C8N
Intel
10AX027E4F27I3LG
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V2000T-1FHG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C6N
Intel