maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM6A27-E3/2D
Référence fabricant | SM6A27-E3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM6A27-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PAR® |
SM6A27-E3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 22V |
Tension - Panne (Min) | 24V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 40V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 65A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6A27-E3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM6A27-E3/2D-FT |
TPSMP9.1AHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMP9.1HE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMP9.1HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMP9.1HM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMP9.1HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel