maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM6S11AHE3_A/I
Référence fabricant | SM6S11AHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-SM6S11AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S11AHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 11V |
Tension - Panne (Min) | 12.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 18.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 253A |
Puissance - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S11AHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM6S11AHE3_A/I-FT |
SM8S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-2FGG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQ208
Microsemi Corporation
5AGZME3E2H29C3N
Intel
10M08DFV81C8G
Intel
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FBG484I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation