maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SISC050N10DX1SA1
Référence fabricant | SISC050N10DX1SA1 |
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Numéro de pièce future | FT-SISC050N10DX1SA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SISC050N10DX1SA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISC050N10DX1SA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SISC050N10DX1SA1-FT |
RJK5015DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-01#J2
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RJK5030DPD-02#J2
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RJK5031DPD-01#J2
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RJK6002DPD-WS#J2
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RJK6011DJE-00#Z0
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RJK6013DPE-WS#J3
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RJK6024DPH-E0#T2
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RJL6013DPE-WS#J3
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RJL6018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel