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Renesas Electronics America RJL6018DPK-00#T0

Numéro de pièce MFG
RJL6018DPK-00#T0
quantité disponible
73720 Pièces
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fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
- MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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RJL6018DPK-00#T0 Caractéristiques

Référence fabricant RJL6018DPK-00#T0
Numéro de pièce future FT-RJL6018DPK-00#T0
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RJL6018DPK-00#T0 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 27A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 265 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3830pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-3P
Paquet / caisse TO-3P-3, SC-65-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJL6018DPK-00#T0 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RJL6018DPK-00#T0-FT

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