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ON Semiconductor NVHL082N65S3F

Name: NVHL082N65S3F
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVHL082N65S3F
Price: 3.99984 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (563 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVHL082N65S3F

quantité disponible: 99020 Pièces

Prix de référence: USD 3.99984

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® SUPERFET3 650V FRFET82MO

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVHL082N65S3F.pdf

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NVHL082N65S3F Caractéristiques

Référence fabricant	NVHL082N65S3F
Numéro de pièce future	FT-NVHL082N65S3F
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
NVHL082N65S3F Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3410pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	313W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247-3
Paquet / caisse	TO-247-3 Variant
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVHL082N65S3F Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVHL082N65S3F-FT

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