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Référence fabricant | NP110N04PUK-E1-AY |
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Numéro de pièce future | FT-NP110N04PUK-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NP110N04PUK-E1-AY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 110A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 297nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15750pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta), 348W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263-3 |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP110N04PUK-E1-AY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NP110N04PUK-E1-AY-FT |
JANTX2N6798
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JANTX2N6798U
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