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ON Semiconductor NVMJS1D3N04CTWG

Name: NVMJS1D3N04CTWG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMJS1D3N04CTWG
Price: 0.85536 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (177 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVMJS1D3N04CTWG

quantité disponible: 32240 Pièces

Prix de référence: USD 0.85536

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 TRENCH 6 40V SL NFET

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVMJS1D3N04CTWG.pdf

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NVMJS1D3N04CTWG Caractéristiques

Référence fabricant	NVMJS1D3N04CTWG
Numéro de pièce future	FT-NVMJS1D3N04CTWG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
NVMJS1D3N04CTWG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	41A (Ta), 235A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 170µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 128W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-LFPAK
Paquet / caisse	SOT-1205, 8-LFPAK56
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMJS1D3N04CTWG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVMJS1D3N04CTWG-FT

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