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Renesas Electronics America NP160N04TDG-E1-AY

Numéro de pièce MFG
NP160N04TDG-E1-AY
quantité disponible
81970 Pièces
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fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
- MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NP160N04TDG-E1-AY Caractéristiques

Référence fabricant NP160N04TDG-E1-AY
Numéro de pièce future FT-NP160N04TDG-E1-AY
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Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NP160N04TDG-E1-AY Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 160A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15750pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta), 220W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263-7
Paquet / caisse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP160N04TDG-E1-AY Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NP160N04TDG-E1-AY-FT

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