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Renesas Electronics America RJK6011DJE-00#Z0
- Numéro de pièce MFG
- RJK6011DJE-00#Z0
- quantité disponible
- 19850 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Renesas Electronics America
- Brève description
- - MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- RJK6011DJE-00#Z0.pdf
RJK6011DJE-00#Z0 Caractéristiques
| Référence fabricant | RJK6011DJE-00#Z0 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-RJK6011DJE-00#Z0 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| RJK6011DJE-00#Z0 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Last Time Buy |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 Ohm @ 50mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 25V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 900mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-92(1) |
| Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RJK6011DJE-00#Z0 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | RJK6011DJE-00#Z0-FT |
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