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Renesas Electronics America RJK6011DJE-00#Z0

Name: RJK6011DJE-00#Z0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK6011DJE-00#Z0
Availability: InStock
Rating: 4.9 (439 reviews)

Numéro de pièce MFG: RJK6011DJE-00#Z0

quantité disponible: 19850 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RJK6011DJE-00#Z0.pdf

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RJK6011DJE-00#Z0 Caractéristiques

Référence fabricant	RJK6011DJE-00#Z0
Numéro de pièce future	FT-RJK6011DJE-00#Z0
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RJK6011DJE-00#Z0 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Last Time Buy
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	900mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-92(1)
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK6011DJE-00#Z0 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RJK6011DJE-00#Z0-FT

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