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ON Semiconductor NVD5867NLT4G-TB01

Name: NVD5867NLT4G-TB01
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD5867NLT4G-TB01
Availability: InStock
Rating: 4.9 (273 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVD5867NLT4G-TB01

quantité disponible: 83930 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVD5867NLT4G-TB01.pdf

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NVD5867NLT4G-TB01 Caractéristiques

Référence fabricant	NVD5867NLT4G-TB01
Numéro de pièce future	FT-NVD5867NLT4G-TB01
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
NVD5867NLT4G-TB01 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Ta), 22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	675pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.3W (Ta), 43W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK-3
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD5867NLT4G-TB01 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVD5867NLT4G-TB01-FT

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