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Vishay Siliconix SIS932EDN-T1-GE3

Name: SIS932EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS932EDN-T1-GE3
Price: 0.20476 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (521 reviews)

Numéro de pièce MFG: SIS932EDN-T1-GE3

quantité disponible: 29720 Pièces

Prix de référence: USD 0.20476

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SIS932EDN-T1-GE3.pdf

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SIS932EDN-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SIS932EDN-T1-GE3
Numéro de pièce future	FT-SIS932EDN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET®
SIS932EDN-T1-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V
Puissance - Max	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® 1212-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur	PowerPAK® 1212-8 Dual
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS932EDN-T1-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SIS932EDN-T1-GE3-FT

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