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Référence fabricant | SIA907EDJT-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIA907EDJT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SIA907EDJT-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 7.8W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA907EDJT-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIA907EDJT-T1-GE3-FT |
SP8J65TB1
Rohm Semiconductor
SP8J66TB1
Rohm Semiconductor
SP8K1FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K1TB
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SP8K22FU6TB
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LCMXO2-7000HC-6TG144C
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A1225A-PQG100I
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