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Référence fabricant | SIA906EDJ-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIA906EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SIA906EDJ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
Puissance - Max | 7.8W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA906EDJ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIA906EDJ-T1-GE3-FT |
SP8K3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K4FU6TB
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SP8K4TB
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