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Référence fabricant | SIPC10N80C3X1SA1 |
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Numéro de pièce future | FT-SIPC10N80C3X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
SIPC10N80C3X1SA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIPC10N80C3X1SA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIPC10N80C3X1SA1-FT |
PSMN3R7-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN4R1-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R6-100YSFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN5R6-100YSFX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R9-100YSFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-100ESFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-100PSFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R7-100YSFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R9-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel