maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PSMN8R9-100BSEJ
Référence fabricant | PSMN8R9-100BSEJ |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN8R9-100BSEJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN8R9-100BSEJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 108A |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7.11nF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 296W |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN8R9-100BSEJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN8R9-100BSEJ-FT |
NP90N04NUK-S18-AY
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