maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PSMN8R5-100PSFQ
Référence fabricant | PSMN8R5-100PSFQ |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN8R5-100PSFQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN8R5-100PSFQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 98A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 44.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3181pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 183W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN8R5-100PSFQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN8R5-100PSFQ-FT |
NP89N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP90N04MUK-S18-AY
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XC7A200T-1FF1156I
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AGL600V2-FG144I
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