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Référence fabricant | SIA975DJ-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIA975DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SIA975DJ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 6V |
Puissance - Max | 7.8W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA975DJ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIA975DJ-T1-GE3-FT |
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Rohm Semiconductor
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