maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SQ4917EY-T1_GE3
Référence fabricant | SQ4917EY-T1_GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SQ4917EY-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ4917EY-T1_GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1910pF @ 30V |
Puissance - Max | 5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ4917EY-T1_GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQ4917EY-T1_GE3-FT |
SI4834BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4834BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4834CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4834CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4906DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4906DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4908DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4908DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4910DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4910DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX72A-PQG208M
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2N
Intel
5SGXMB9R2H43C2N
Intel
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3LG
Intel
EP2AGX125EF29C4
Intel
EP3C40F780C7
Intel