maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SP8M9TB
Référence fabricant | SP8M9TB |
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Numéro de pièce future | FT-SP8M9TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SP8M9TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A, 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 10V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SP8M9TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SP8M9TB-FT |
SI4830CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
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