maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI4830CDY-T1-E3
Référence fabricant | SI4830CDY-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI4830CDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LITTLE FOOT® |
SI4830CDY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V |
Puissance - Max | 2.9W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4830CDY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4830CDY-T1-E3-FT |
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XC4005XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQG100
Microsemi Corporation
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Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
LCMXO2-7000ZE-1FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R4F40E3SG
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EP20K400EBC652-2
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