maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI7224DN-T1-GE3
Référence fabricant | SI7224DN-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI7224DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7224DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 15V |
Puissance - Max | 17.8W, 23W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7224DN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7224DN-T1-GE3-FT |
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Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-2PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EP1C6Q240C8
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EP20K100EQC240-1X
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