maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI6562CDQ-T1-GE3
Référence fabricant | SI6562CDQ-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI6562CDQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI6562CDQ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.7A, 6.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
Puissance - Max | 1.6W, 1.7W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6562CDQ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI6562CDQ-T1-GE3-FT |
SI1551DL-T1-E3
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Xilinx Inc.
AGL400V5-FG144I
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A40MX04-3PQG100
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