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Référence fabricant | SI5933DC-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI5933DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI5933DC-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5933DC-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI5933DC-T1-E3-FT |
ALD110914PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1110EPAL
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ALD111933PAL
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ALD114904APAL
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ALD114904PAL
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ALD114935PAL
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ALD212902PAL
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ALD212904PAL
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ALD212908APAL
Advanced Linear Devices Inc.
XC6SLX75-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-5FGG676C
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XC7S25-2FTGB196C
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A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4SGX290FH29I3
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5SGXEABN2F45I3N
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XC7VX550T-3FFG1927E
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AT6005-2JI
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