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Vishay Siliconix SI5511DC-T1-E3
- Numéro de pièce MFG
- SI5511DC-T1-E3
- quantité disponible
- 48530 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Vishay Siliconix
- Brève description
- TrenchFET® MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SI5511DC-T1-E3.pdf
SI5511DC-T1-E3 Caractéristiques
| Référence fabricant | SI5511DC-T1-E3 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SI5511DC-T1-E3 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | TrenchFET® |
| SI5511DC-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | N and P-Channel |
| Caractéristique FET | Logic Level Gate |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A, 3.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| Puissance - Max | 3.1W, 2.6W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
| Package d'appareils du fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SI5511DC-T1-E3 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SI5511DC-T1-E3-FT |
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