maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI5473DC-T1-E3
Référence fabricant | SI5473DC-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI5473DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI5473DC-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.9A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5473DC-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI5473DC-T1-E3-FT |
SI1051X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1054X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1054X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1056X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1056X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1058X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1058X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1065X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1065X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1067X-T1-E3
Vishay Siliconix
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation