maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI1067X-T1-E3
Référence fabricant | SI1067X-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI1067X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1067X-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 236mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-89-6 |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1067X-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1067X-T1-E3-FT |
SIE844DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE848DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE848DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE854DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE854DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE860DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE860DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE862DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE874DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE876DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel