maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI1056X-T1-GE3
Référence fabricant | SI1056X-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI1056X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1056X-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 236mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-89-6 |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1056X-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1056X-T1-GE3-FT |
SIE816DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE818DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE818DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE836DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE844DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE844DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE848DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE848DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE854DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE854DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel