maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SIE844DF-T1-E3
Référence fabricant | SIE844DF-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SIE844DF-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SIE844DF-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 44.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 12.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 5.2W (Ta), 25W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 10-PolarPAK® (U) |
Paquet / caisse | 10-PolarPAK® (U) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE844DF-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIE844DF-T1-E3-FT |
SI5415AEDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA461DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA427DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA400EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA441DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA413DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA421DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA468DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA483DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA459EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel