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Référence fabricant | SIA468DJ-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIA468DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® Gen IV |
SIA468DJ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 37.8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 19W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paquet / caisse | PowerPAK® SC-70-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA468DJ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIA468DJ-T1-GE3-FT |
SI4848DY-T1-E3
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SI4848DY-T1-GE3
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SI4850BDY-T1-GE3
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XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel