maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SIA468DJ-T1-GE3
Référence fabricant | SIA468DJ-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SIA468DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® Gen IV |
SIA468DJ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 37.8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 19W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paquet / caisse | PowerPAK® SC-70-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA468DJ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIA468DJ-T1-GE3-FT |
SI4848DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4848DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4850BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4850EY-T1
Vishay Siliconix
SI4858DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4858DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4860DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4860DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4866BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4866BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel