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Référence fabricant | SI5446DU-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI5446DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI5446DU-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 25A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1610pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 31W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® ChipFet Single |
Paquet / caisse | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5446DU-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI5446DU-T1-GE3-FT |
DMG3414UQ-13
Diodes Incorporated
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A3PN015-1QNG68I
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
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EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
Intel