maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI4890DY-T1-E3
Référence fabricant | SI4890DY-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI4890DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4890DY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4890DY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4890DY-T1-E3-FT |
SI9435BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4435DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4431CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4463BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4850EY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4431BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9433BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
CWDM3011N TR13
Central Semiconductor Corp
SI4100DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4447ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel