maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI4850EY-T1-E3
Référence fabricant | SI4850EY-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI4850EY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4850EY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4850EY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4850EY-T1-E3-FT |
IRF7523D1TR
Infineon Technologies
IRF7523D1TRPBF
Infineon Technologies
IRF7524D1GTRPBF
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IRF7524D1PBF
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IRF7524D1TR
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IRF7524D1TRPBF
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IRF7526D1
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IRF7526D1PBF
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IRF7526D1TR
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IRF7526D1TRPBF
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XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
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10M40DCF256C7G
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5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
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A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
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EP1SGX40GF1020I6
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