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Référence fabricant | CWDM3011N TR13 |
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Numéro de pièce future | FT-CWDM3011N TR13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CWDM3011N TR13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 5V |
Vgs (Max) | 20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CWDM3011N TR13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CWDM3011N TR13-FT |
IRF7524D1PBF
Infineon Technologies
IRF7524D1TR
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XC6SLX150-3FG484I
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