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Référence fabricant | SI2304DDS-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI2304DDS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI2304DDS-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2304DDS-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI2304DDS-T1-GE3-FT |
T2N7002BK,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
FDN5618P
ON Semiconductor
SI2301CDS-T1-E3
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SQ2308CES-T1_GE3
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Lattice Semiconductor Corporation
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