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Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK,LM

Name: T2N7002BK,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: T2N7002BK,LM
Price: 0.02244 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (553 reviews)

Numéro de pièce MFG: T2N7002BK,LM

quantité disponible: 14900 Pièces

Prix de référence: USD 0.02244

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSVII-H MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: T2N7002BK,LM.pdf

T2N7002BK,LM Caractéristiques

Référence fabricant	T2N7002BK,LM
Numéro de pièce future	FT-T2N7002BK,LM
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSVII-H
T2N7002BK,LM Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	400mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	320mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-23-3
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
T2N7002BK,LM Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	T2N7002BK,LM-FT

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