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Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK,LM

Numéro de pièce MFG
T2N7002BK,LM
quantité disponible
14900 Pièces
Prix de référence
USD 0.02244
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSVII-H MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
T2N7002BK,LM.pdf
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T2N7002BK,LM Caractéristiques

Référence fabricant T2N7002BK,LM
Numéro de pièce future FT-T2N7002BK,LM
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSVII-H
T2N7002BK,LM Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 400mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 320mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-23-3
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
T2N7002BK,LM Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange T2N7002BK,LM-FT

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