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FDN5618P Image

ON Semiconductor FDN5618P

Numéro de pièce MFG
FDN5618P
quantité disponible
43700 Pièces
Prix de référence
USD 0.152224
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDN5618P.pdf
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FDN5618P Caractéristiques

Référence fabricant FDN5618P
Numéro de pièce future FT-FDN5618P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDN5618P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.25A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SuperSOT-3
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDN5618P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDN5618P-FT

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