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STMicroelectronics SCT30N120

Name: SCT30N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT30N120
Price: 25.72 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (414 reviews)

Numéro de pièce MFG: SCT30N120

quantité disponible: 40710 Pièces

Prix de référence: USD 25.72

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: - MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SCT30N120.pdf

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SCT30N120 Caractéristiques

Référence fabricant	SCT30N120
Numéro de pièce future	FT-SCT30N120
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
SCT30N120 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA (Typ)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 20V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	270W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	HiP247™
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT30N120 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SCT30N120-FT

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