maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SBLB25L30CTHE3/81
Référence fabricant | SBLB25L30CTHE3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-SBLB25L30CTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SBLB25L30CTHE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 12.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 490mV @ 12.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 900µA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBLB25L30CTHE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBLB25L30CTHE3/81-FT |
MBRB20H100CTGHE3/8
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H100CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H35CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H45CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel