maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB20H45CT-E3/81
Référence fabricant | MBRB20H45CT-E3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB20H45CT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB20H45CT-E3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 630mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 45V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB20H45CT-E3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB20H45CT-E3/81-FT |
FEPB6BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel