maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB20H100CTHE3/45
Référence fabricant | MBRB20H100CTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB20H100CTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB20H100CTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 770mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB20H100CTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB20H100CTHE3/45-FT |
FEPB16JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation