maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S25FL164K0XWEI009
Référence fabricant | S25FL164K0XWEI009 |
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Numéro de pièce future | FT-S25FL164K0XWEI009 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FL1-K |
S25FL164K0XWEI009 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 3ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Wafer |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FL164K0XWEI009 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S25FL164K0XWEI009-FT |
R1RP0416DSB-2PR#D1
Renesas Electronics America
R1RW0408DGE-0PI#B0
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R1RW0408DGE-2LR#B0
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R1RW0408DGE-2PI#B0
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R1RW0408DGE-2PR#B0
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R1RW0416DGE-2PI#B0
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R1RW0416DGE-2PR#B0
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R1RW0416DSB-2LR#B0
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R1RW0416DSB-2LR#D1
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R1RW0416DSB-2PI#B0
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XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
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A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
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EP4CE10F17A7N
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EPF10K30EFC256-3
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LFE2-20E-5F484C
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EP20K100EFC324-1
Intel