maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / R1RW0408DGE-2LR#B0
Référence fabricant | R1RW0408DGE-2LR#B0 |
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Numéro de pièce future | FT-R1RW0408DGE-2LR#B0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R1RW0408DGE-2LR#B0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 12ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-SOJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RW0408DGE-2LR#B0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R1RW0408DGE-2LR#B0-FT |
PC28F256M29EWHD
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWLB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWLD
Micron Technology Inc.
PC28F256P30B2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P30B2F TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30BFB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30BFF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30T2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P33B2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P33B2F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel