maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S25FL129P0XNFI013M
Référence fabricant | S25FL129P0XNFI013M |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S25FL129P0XNFI013M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FL-P |
S25FL129P0XNFI013M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 128Mb (16M x 8) |
Fréquence d'horloge | 104MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5µs, 3ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FL129P0XNFI013M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S25FL129P0XNFI013M-FT |
R1LV0816ABG-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ABG-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-0PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2LR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2PR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2LR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2PR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DSB-2LR#B0
Renesas Electronics America
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel