maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / R1RP0416DGE-2LR#B0
Référence fabricant | R1RP0416DGE-2LR#B0 |
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Numéro de pièce future | FT-R1RP0416DGE-2LR#B0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R1RP0416DGE-2LR#B0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM |
Taille mémoire | 4Mb (256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 12ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-SOJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RP0416DGE-2LR#B0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R1RP0416DGE-2LR#B0-FT |
PC28F128J3F75F
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75G
Micron Technology Inc.
PC28F128M29EWHG
Micron Technology Inc.
PC28F128P30BF65B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128P33TF60E TR
Micron Technology Inc.
PC28F256G18AE
Micron Technology Inc.
PC28F256G18AF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256G18FF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256J3F95B TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWHB TR
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation