maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / R1RP0408DGE-2LR#B0
Référence fabricant | R1RP0408DGE-2LR#B0 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-R1RP0408DGE-2LR#B0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R1RP0408DGE-2LR#B0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 12ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-SOJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RP0408DGE-2LR#B0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R1RP0408DGE-2LR#B0-FT |
PC28F128G18AE
Micron Technology Inc.
PC28F128G18FF TR
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75F
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75G
Micron Technology Inc.
PC28F128M29EWHG
Micron Technology Inc.
PC28F128P30BF65B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128P33TF60E TR
Micron Technology Inc.
PC28F256G18AE
Micron Technology Inc.
PC28F256G18AF TR
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel