maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / R1RP0408DGE-2LR#B0
Référence fabricant | R1RP0408DGE-2LR#B0 |
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Numéro de pièce future | FT-R1RP0408DGE-2LR#B0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R1RP0408DGE-2LR#B0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 12ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-SOJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RP0408DGE-2LR#B0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R1RP0408DGE-2LR#B0-FT |
PC28F128G18AE
Micron Technology Inc.
PC28F128G18FF TR
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75F
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75G
Micron Technology Inc.
PC28F128M29EWHG
Micron Technology Inc.
PC28F128P30BF65B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128P33TF60E TR
Micron Technology Inc.
PC28F256G18AE
Micron Technology Inc.
PC28F256G18AF TR
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel