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Référence fabricant | S25FL129P0XNFI010M |
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Numéro de pièce future | FT-S25FL129P0XNFI010M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FL-P |
S25FL129P0XNFI010M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 128Mb (16M x 8) |
Fréquence d'horloge | 104MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5µs, 3ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FL129P0XNFI010M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S25FL129P0XNFI010M-FT |
QMP9GL512P11TFI010
Cypress Semiconductor Corp
QMP9GL512P11TFI020
Cypress Semiconductor Corp
R1LV0816ABG-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ABG-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-0PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2LR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2PI#B0
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2LR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2PI#B0
Renesas Electronics America
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel