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Référence fabricant | S1ML R3G |
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Numéro de pièce future | FT-S1ML R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1ML R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1ML R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1ML R3G-FT |
ES1CLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel